Función de trabajo de ingeniería del óxido de grafeno de tipo p a n usando un chorro de plasma de baja presión atmosférica

El grafeno, desde su descubrimiento en 2004, ha atraído un enorme interés debido a sus propiedades físicas y químicas, y sus amplias aplicaciones. * * El óxido de grafeno (GO) se ha convertido en una alternativa atractiva al grafeno debido al bajo costo, la producción a gran escala y la capacidad de procesamiento de la solución. GO se prepara por exfoliación oxidativa de grafito.
* La función de trabajo es una propiedad electrónica fundamental de un material y se puede utilizar para interpretar la posición relativa del nivel de Fermi. * Para el transporte eficiente de electrones u orificios en un dispositivo de heterounión, la función de trabajo de los materiales juega un papel crucial, ya que la función de trabajo determina cómo se alinearán las bandas en los contactos. * Recientemente ha habido un mayor interés en las aplicaciones de GO para capas interfaciales y materiales de electrodos transparentes en dispositivos optoelectrónicos, por ejemplo, g. pantallas de cristal líquido (LCD), diodos emisores de luz orgánicos (OLED), pantallas táctiles, células solares sensibilizadas por colorantes (DSSC) y como electrodos supercondensadores. Ajustar la función de trabajo de GO es clave para lograr dispositivos de alto rendimiento.
* En el artículo "Función de trabajo de ingeniería del óxido de grafeno de tipo p a n utilizando un chorro de plasma a presión atmosférica de baja potencia" por Avishek Dey, Paheli Ghosh, James Bowen, Nicholas St. J. Braithwaite y Satheesh Krishnamurthy, los autores demuestran el dopaje de óxido de grafeno (GO) películas que utilizan un chorro de plasma a presión atmosférica de baja potencia (APPJ) con el ajuste posterior de la función de trabajo.
* El potencial de superficie de las películas GO funcionalizadas con plasma podría ajustarse en 120 ± 10 mV variando los parámetros del plasma. * * Se realizaron mediciones de microscopía de sonda Kelvin (SKPM) también conocida como microscopía de fuerza de sonda Kelvin (KPFM) para realizar cambios en la función de trabajo de las películas GO con funcionalización de plasma. * Se utilizaron sondas NANOSENSORS ™ PointProbe® Plus PPP-EFM AFM con un revestimiento de platino-iridio para realizar mediciones de potencial de superficie.
* Los estudios de la sonda Kelvin mostraron que la configuración de enlace puede influir en la función de trabajo de GO. El nitrógeno piridínico transforma GO en tipo p, mientras que el nitrógeno grafítico aumenta la densidad electrónica de GO y la transforma en tipo n. Señalando el hecho de que un APPJ de baja potencia puede sintonizar efectivamente la función de trabajo de GO y, por lo tanto, la conductividad.
* Los hallazgos presentados en el artículo son extremadamente útiles en la fabricación de dispositivos de heterounión como sensores y dispositivos optoelectrónicos donde la alineación de la estructura de la banda es clave para el rendimiento del dispositivo cuando GO se usa como capa de transporte de carga. Esta técnica se puede extender a otros sistemas 2D conocidos. * * Avishek Dey, Paheli Ghosh, James Bowen, Nicholas St.
J. Braithwaite y Satheesh Krishnamurthy Función de trabajo de ingeniería del óxido de grafeno de tipo p a n usando un chorro de plasma de baja presión atmosférica Física Química Física Química, 2020, 22, 7685-7698 DOI: 10.1039 / C9CP06174F Siga este enlace externo para ver el artículo completo: https: // pubs.
rsc.org/en/content/articlehtml/2020/cp/c9cp06174f Acceso abierto: el artículo “Función de trabajo de ingeniería del óxido de grafeno de tipo p a n usando un chorro de plasma a presión atmosférica de baja potencia” por Avishek Dey, logoa, Paheli Ghosh, James Bowen, Nicholas St. J.
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